Samsung anuncia el primer chip de almacenamiento eUFS 2.1 de 1 TB a tiempo para el Galaxy S10
Samsung Electronics ha anunciado hoy que ha comenzado a producir en masa el primer chip de almacenamiento eUFS 2.1 de 1 Terabyte de la industria, que será utilizado en la próxima generación de dispositivos móviles.
Apenas cuatro años después de introducir la primera solución UFS de almacenamiento para smartphones, el eUFS de 128 GB, Samsung ha superado el umbral del Terabyte.
Gracias a este chip, los usuarios de smartphones podrán disfrutar de una capacidad de almacenamiento comparable a la de un PC sin tener que utilizar tarjetas de memoria adicionales. A modo de referencia, 1 TB de almacenamiento equivale a unos 260 vídeos de 10 minutos en formato 4K UHD.
La nueva solución eUFS de 1 TB mantiene el mismo tamaño de encapsulado (11,5 x 13,0 mm) y duplica la capacidad de la versión anterior de 512 GB mediante la combinación de 16 capas apiladas de memoria flash V-NAND de 512 GB y un controlador propio de nuevo desarrollo.
El nuevo chip también posee una velocidad excepcional de lectura secuencial hasta 1.000 MB/s, el doble de la velocidad de lectura secuencial de una unidad SSD SATA típica de 2,5 pulgada y alrededor de 10 veces la velocidad de una tarjeta microSD típica.
Además, la velocidad de lectura aleatoria ha aumentado hasta un 38 por ciento en comparación con la versión de 512 GB, registrando hasta 58.000 IOPS. La escritura aleatoria es 500 veces más rápida que una tarjeta microSD de alto rendimiento (100 IOPS), llegando hasta 50.000 IOPS.
Aunque Samsung no ha confirmado cuándo llegarán los primeros smartphones con este chip, cabe esperar que alguna de las versiones del Samsung Galaxy S10 estrenen este almacenamiento.
