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Cuando Samsung presentó el Galaxy Fold la semana pasada, la empresa confirmó que el teléfono se lanzaría con 512 GB de almacenamiento eUFS 3.0.
En caso de que no estés familiarizado con esta tecnología, se trata del estándar de almacenamiento de próxima generación que aumenta drásticamente la velocidad de transferencia de almacenamiento en los dispositivos móviles.
Aunque pensábamos que los nuevos Galaxy S10 también contarían con este almacenamiento, no es así ya que cuenta con memoria flash eUFS 2.1. Esta memoria sigue siendo muy rápida pero no tanto como la que ofrece el Galaxy Fold.
Samsung anunció el martes que está listo para producir en masa módulos de almacenamiento eUFS 3.0 de 512 GB basados en la tecnología V-NAND de quinta generación de la compañía. Las versiones de 1 TB llegarán en la segunda mitad del año, lo que hace pensar que el Galaxy Note 10 podría llegar con el nuevo chip eUFS 3.0.
El almacenamiento 1TB eUFS 2.1 que viene en el Galaxy S10+ alcanza velocidades secuenciales de lectura y escritura de 1.000MB/s y 260MB/s, mientras que las velocidades de lectura y escritura aleatorias son de 58.000 IOPS y 50.000 IOPS.
El almacenamiento eUFS 3.0 de 512 GB del Galaxy Fold alcanza 2.100 MB/s, 410 MB/s, 63.000 IOPS y 68.000 IOPS. Se trata de una mejora significativa con respecto a eUFS 2.1.
Samsung dijo en su comunicado de prensa que la velocidad de lectura de eUFS 3.0 es cuatro veces más rápida que los discos SSD SATa y 20 veces más rápida que las tarjetas microSD, mientras que la velocidad de escritura es equivalente a la de los discos SSD.