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La gran empresa surcoreana no solo fabrica dispositivos móviles, sino que también tiene intereses en electrónica, pantallas y fabricación de semiconductores.
Samsung es líder en tecnología avanzada de semiconductores y es responsable de la fabricación del chip Qualcomm Snapdragon 835 utilizando la tecnología de proceso FinFET de 10 nanómetros (nm) de primera generación.
La compañía ha anunciado hoy que ha comenzado la producción masiva de chips basados en la tecnología de proceso FinFET de 10nm de segunda generación. Bajo el nombre de 10LPP (Low Power Plus), la compañía afirma que el nuevo proceso de segunda generación mejorará el rendimiento y el consumo energético.
La tecnología de proceso de 10nm de segunda generación llega a la producción en masa
La tecnología de proceso 10LPP mejora hasta un 10% el rendimiento, así como un 15% menos de consumo de energía en comparación con la tecnología de proceso de 10nm de primera generación llamada 10LPE (Low Power Early).
El nuevo proceso se deriva de la tecnología 10LPE que ha sido perfeccionada. La nueva tecnología ofrece ventajas competitivas al reducir en gran medida el tiempo invertido desde el desarrollo hasta la producción en masa. También asegura un rendimiento inicial de fabricación significativamente mayor.
Podremos servir mejor a nuestros clientes a través de la migración de 10LPE a 10LPP con un mejor rendimiento y un mayor rendimiento inicial.
Samsung, con su larga experiencia en la estrategia de procesos de 10nm, continuará trabajando en la evolución de la tecnología de 10nm hasta 8LPP para ofrecer a los clientes distintas ventajas competitivas para una amplia gama de aplicaciones.
De acuerdo con Ryan Lee, Vicepresidente de Foundry Marketing en Samsung Electronics, la compañía ahora anda detrás de la tecnología de 8nm y 7nm.
Todavía estamos lejos de ver la producción masiva de chips de 7nm pero, al ritmo que Samsung se está moviendo, no sería sorprendente ver que veamos procesadores de 7nm a finales del próximo año.
Línea de fabricación S3 de Samsung Electronics, ubicada en Hwaseong, Corea
Además, Samsung ha anunciado que su nueva línea de fabricación, la planta S3, que se ha estado construyendo en Hwaseong, Corea, está ya lista para comenzar a producir chips de 10nm o incluso menos.
La planta S3 es la tercera fábrica de Samsung Foundry, siendo S1 la primera, ubicada en Giheung (Corea) y S2 la de Austin (Texas, EE. UU).
Cabe destacar que la muy publicitada tecnología de proceso FinFET Samsung 7nm con EUV (Extreme Ultra Violet) también se producirá en masa en esta nueva planta. | Fuente : Samsung