Samsung tiene un plan para llegar a fabricar chips de 3nm en cuatro años
La semana pasada, Samsung celebró su evento anual Foundry Forum en EE.UU. En dicoh evento, la empresa reveló su plan para llevar su tecnología de proceso a 7 nm Low Power Plus (LPP), 5 nm Low Power Early (LPE) y 3 nm de Gate-All-Around Early/Plus.
El proceso LPP de 7nm será el primero de Samsung en utilizar una solución de litografía EUV, y debería estar listo para su producción durante la segunda mitad de este año.
La producción en masa de componentes utilizando el nuevo proceso comenzará en la primera mitad de 2019. Es entonces cuando su rival TSMC comenzará la producción en masa de componentes utilizando su nodo de 7 nm+ (también utilizando la litografía EUV), e iniciará la producción de su nodo de 5 nm.
Los chips basados en el proceso LPE de 5 nm de Samsung proporcionarán un consumo de energía ultra bajo. Y el último de los chips que empleará FinFET se producirá utilizando el proceso Early/Plus de baja potencia de 4 nm. Los chips construidos con esta tecnología de proceso ofrecerán un rendimiento mejorado y un tamaño de célula más pequeño. Ambos comenzarán su producción en 2019 y 2020, respectivamente.
A principios de este año, una información procedente de Corea apuntaba a que Samsung fabricará el procesador móvil Snapdragon 855 en 7nm.
Comenzando con el nodo 3nm, Samsung utilizará su propia arquitectura GAA (Gate all-around) de próxima generación MBCFET (multi-bridge-channel FET). No se espera que la producción de 3nm comience hasta 2022. Cuanto menor es el tamaño del nodo, los chips que se producen utilizando ese proceso son más potentes y eficientes energéticamente. | Fuente: Digitimes
