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Samsung es uno de los grandes jugadores en el mercado de los semiconductores, y la compañía acaba de anunciar su plan de evolución para los próximos años.
La compañía planea un proceso de 4nm para dispositivos inteligentes y un nuevo tipo de proceso de 18nm para dispositivos IoT (Internet of Things).
Durante el foro anual Samsung Foundry Forum 2017, Samsung ha explicado que el proceso 8nm LPP (Lowe Power Plus) ofrecerá la solución más competitiva antes de pasar al proceso EUV (Extreme Ultra Violer).
El proceso de 7nm será el primero con una solución de litografía EUV, que ha sido desarrollado junto con la compañía holandesa ASML. Desplegar el proceso de 7nm será un punto de inflexión para los fabricantes de semiconductores, ya que romperá las barreras de ley de Moore. Esta innovación dará paso a 6LPP, 5LPP y 4LPP.
4LPP será la primera implementación de MBCFET (Multi-Bridge Channel FET), una arquitectura de dispositivos de próxima generación que superará las limitaciones físicas de escalado y rendimiento de la estructura FinFET actual.
Samsung también ha anunciado que desarrollará un proceso FD-SOI de 18nm para dispositivos IoT, que supondrá una mejora respecto al proceso FDS de 28nm con una mayor eficiencia en consumo, espacio y rendimiento. | Fuente: Samsung